国家革动Adv.Mater.Int.,2016,3,1600347。
b-d）生长在Au(111)(b)、发改Ag(111)(c)和Cu(111)(d)上的chGNRs的STM图像。委半e）GNR基器件的传输特性。
月改月Adv.Mater.Int.,2016,3,1600347。国家杰出青年科学基金、国家革动万人计划科技创新领军人才获得者。d）基于AGNR的FET器件在不同漏极-源极偏置下的传输特性，发改插图显示了不同器件的开/关电流比直方图。
然而，委半一些无法克服的缺陷限制了自上而下法和自下而上溶液合成法的发展。月改月d）在不同衬底上生长的B掺杂7-AGNR的超高真空拉曼光谱。
国家革动f）GNRs中QDs的STM图像和nc-AFM（插图）。
这可能会导致长度不可控的GNRs，发改并进一步影响后续的性能研究和器件制造。f-i）不同的边缘状态：委半f）填充的边缘状态和g）以h，i）为特征的空边缘状态的微分电导图和DFT法计算出的局部DOS。
月改月d）CVD衍生的CGNRs的拉曼光谱。国家革动b）（a）中GNR异质结的键合分辨STM（BRSTM）图像。
b,c）前体（b），发改HBC分子（c）和单个HBC分子（插图）的3DSTM图像。委半图13 从多个前体生长的GNR异质结a）两种不同前体的异质结生长方案。